從 SK 海力士官方公告中獲悉，第 8 代 3D NAND 堆疊成熟超過(guò) 300 層，容量為 1Tb(128GB)，具有三級(jí)單元和超過(guò) 20Gb / mm^2 的位密度(bit density)。

　　該芯片的頁(yè)容量(page size)為 16KB，擁有 4 個(gè) planes，接口傳輸速度為 2400MT / s，最高吞吐量為 194MB/s(比第 7 代 238 層 3D NAND 快 18%)。

　　新 NAND 的位密度增加近一倍，意味著將顯著提高新制造節(jié)點(diǎn)的每晶圓生產(chǎn)率，也將降低 SK 海力士的成本，只是尚不清楚具體程度。